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产业链研究 chip-design 子段 · 深度工艺路线分析。聚焦半导体/光芯片/光模块等需要工艺拆解的产业链,从制程角度分析国产替代窗口、瓶颈环节、技术代际差距。激活时机:研究含芯片/晶圆/光芯片/光模块/化合物半导体的产业链时,在 chain-data 之后、chain-breakdown 之前调用。
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استنادا إلى تصنيف SOC المهني
产业链深度研究 9 段对齐 skill(2026-07-06 v4.1:在 8+1 之前加 chain-radar 行业雷达)。 基于「齐码.SKILL」Design-by-Contract 思想 + harrischen/invest 多因子评分 + zhangmusinb/gushifenxi 深度研究方法,形成「周期 × 缺口 × 政策」三角定位法。 每段输入=上段产物,实现"结论=证据"的全链路对齐。 包含三层价值量(成本/利润/瓶颈)、三类缺口(瓶颈/增量/国产替代/新需求)、 反证条件、跟踪指标。聚焦 A 股 + 港股 + 美股产业链投研。
产业链研究第 4 段 · 三层价值量深挖。对 breakdown 选出的 Top 3 环节做深度分析。激活时机:chain-breakdown 输出 breakdown.md 后。
产业链研究第 3 段 · 瓶颈/增量识别。从 data.md 拆出"哪些环节值得研究"。激活时机:chain-data 输出 data.md 后。
产业链研究第 4 段(可选)· 产业周期判断。强周期行业(农业/化工/半导体/钢铁/煤炭/航运/航运)必跑,其他行业可选。借鉴 Maslow 周期 + 库存周期 + 资本开支周期 + 情绪周期方法论。激活时机:chain-breakdown 输出后,在 chain-analysis 之前。
产业链研究第 2 段 · 数据采集。把 idea.md 的 11 词过滤表,变成上中下游 + 三层价值量数据。激活时机:chain-idea 输出 idea.md 后,或在用户要求"补产业链数据"时。
产业链研究第 1 段 · 立项。把模糊想法挖成"立得住、还够狠"的 idea.md。融合大刘的产品 4 度:流变重构、成本坍缩、人即环境、可验证黑盒。激活时机:用户首次提到想研究某产业链/某公司/某材料。
| name | chain-chip-design |
| description | 产业链研究 chip-design 子段 · 深度工艺路线分析。聚焦半导体/光芯片/光模块等需要工艺拆解的产业链,从制程角度分析国产替代窗口、瓶颈环节、技术代际差距。激活时机:研究含芯片/晶圆/光芯片/光模块/化合物半导体的产业链时,在 chain-data 之后、chain-breakdown 之前调用。 |
完整的 工艺路线(可选) 段契约。Claude/Codex 调用本段时,只需读这一节。
02_data.md02_data.md 中的工艺相关数据02.5_chip_design.md(工艺路线图)chip_design.svg(链图)灵感:从 device physics 角度拆解「能否国产替代」+「技术代际差距」+「工艺路线的拐点」 产物:
chip-design.md(工艺路线卡片)+ 可选chip-design-diagram.html(可视化) 输入:链 data.md(尤其是上游设备/材料/工艺 list) 输出:可被 chain-breakdown 直接消费的 chip-design.md
在标准 9 段 pipeline 的 data → breakdown 之间,插入一个 device physics 拆解段(可选)。
普通研报只看「上下游有哪些公司」,这个段告诉你:
| 维度 | 做什么 | 关键问题 |
|---|---|---|
| 工艺路线 | 主流量产工艺是什么 | MOCVD / MBE / 湿法刻蚀 / 干法刻蚀 哪种是主流? |
| 衬底 | 哪类 wafer 是基础 | InP / Si / GaAs / GaN / 蓝宝石 哪种? 国产率? |
| 设备 | 关键设备供应商 | MOCVD 国产率?测试设备国产率? |
| 下一代 | 工艺路线的 2-3 代后再突破 | 50G EML → 100G EML → 200G 异质集成 → 量子点 EML? |
| 良率 | 当前良率水平 + 突破时点 | 25G EML 良率?什么时候能 70%? |
| 产业链 | 关键 chip-design 内容 |
|---|---|
| 光模块 | EML 工艺路线 + InP 衬底 + MOCVD 设备 + 硅光集成 |
| 存储/半导体 | NAND/NOR flash 制程 + 光刻机 + 国产化 |
| 化合物半导体 | GaN on Si / GaAs / InP 工艺路线 |
| 锂电材料 | 隔膜 + 电解液 + 正极材料工艺 |
| 创新药 | ADC linker + 双抗 + GLP-1 工艺路线 |
# [产业链名] · chip-design 工艺路线卡片
## 0. 一句话结论
[这条工艺路线的核心卡点 + 国产窗口期一句话]
## 1. 工艺拓扑
### 1.1 主流量产工艺
| 工艺 | 主流用途 | 国产率 | 关键设备 | A 股标的 |
|---|---|---|---|---|
### 1.2 衬底 + 设备
| 衬底 | 主流尺寸 | 国产率 | 关键厂 |
|---|---|---|---|
### 1.3 工艺路线分代
- **第 1 代(2020)**:25G EML on 3-inch InP
- **第 2 代(2024)**:25G/50G EML on 4-inch InP
- **第 3 代(2026)**:50G/100G EML on 6-inch InP
- **第 4 代(2028)**:200G 硅光异质集成 / 量子点 EML
## 2. 良率爬升路径
[从 30% → 70% 的时点 + 关键事件]
## 3. 下一代工艺路线
- 50G → 100G 的具体突破点
- 200G 异质集成路径
- 量子点 EML 路线
## 4. 关键设备国产化
- MOCVD
- 测试设备(DCA, OSA)
- 光刻机
## 5. 与下游的契约
- **给 chain-breakdown**: 工艺路线 + 良率基线 + 卡点明细
- **给 chain-stockmap**: device-level 国产化率 + 公司卡位
不只看当前代,要看到 2-3 代后的工艺拐点。 A 股特别适用:科技自立自强是 5-10 年国策,需要看清楚每代工艺对应的国产窗口期。
衬底是工艺的根(InP / Si / GaAs),大部分产业链的真正卡点在衬底。
良率 50% → 70% 是商用化的关键拐点。这是 device physics 的硬约束。
长期路线:分立 EML → 硅光异质集成 → 量子点 EML
用户对 v3 的视觉风格已认可(16:9, #0B3A82 标题, 三栏布局, 蓝绿配色)。本节沉淀为可复用技能。
画布 :1920×1080 (16:9)
背景 :#FFFFFF 纯白
标题色 :#0B3A82 深蓝
副标题 :#6B7B91 灰
主蓝 :#2F80ED / 深蓝 #1E5BB8
青色辅 :#00B8D9
下游绿 :#22C55E / 深绿 #16A34A
卡片底 :#FAFBFD / 绿色 #F0FDF4
卡片描边 :#E6EDF5 1px
介绍框 :#EFF6FF + #BFDBFE 边
圆角 :6-8 px
字体 :WenQuanYi Micro Hei(macOS/Linux 一致)
┌──────────┬──────────┬──────────┐
│ 上游蓝 │ 中游蓝 │ 下游绿 │
│ ────── │ ────── │ ────── │
│ 卡片×N │ 步骤×N │ 卡片×N │
│ 龙头×N │ 龙头×N │ 龙头×N │
└──────────┴──────────┴──────────┘
┌──── intro 介绍框(蓝色 light)────┐
┌──── 总结 ────┬──── 投资要点 ────┬── QR ──┐
chain-chip-design/
├── SKILL.md ← 本文件
├── scripts/
│ ├── icon_lib.py ← 19 个 Bootstrap Icons 实心版(MIT · CDN 自动缓存)
│ └── draw_chain_v2.py ← 主图生成器(PIL + 立体光圈)
└── templates/
└── chip-design.md.template
v3.4 重要升级:从自画几何 SVG 改为 Bootstrap Icons v1.x(MIT license · 2000+ 图标 · 实心 fill 版)。
跨平台一致 + 自动下载 + 本地缓存(~/.cache/bootstrap-icons/)。
完全替代 emoji,接近 Fluent 2 实心风的视觉冲击力。
from icon_lib import icon_svg, ICON_NAMES, EMOJI_TO_ICON
# 单个图标
svg_str = icon_svg('chip', size=32, color='#2F80ED')
# 列出所有图标名(19 个)
print(ICON_NAMES)
# ['chip', 'pcb', 'optic', 'housing', 'fiber', 'material',
# 'flow', 'doc', 'design', 'components', 'integrate', 'test', 'ship',
# 'datacenter', 'telecom', 'cloud', 'ai', 'arrow_right', 'check']
# emoji → 图标映射(用于旧代码兼容)
EMOJI_TO_ICON = {
'💡': 'fiber', '🔬': 'optic', '🧩': 'pcb',
'🖥️': 'datacenter', '📡': 'telecom', '☁️': 'cloud', '🤖': 'ai',
...
}
图标清单(19 个 · Bootstrap Icons 映射):
为什么从自画 SVG 升级到 Bootstrap Icons
PIL + cairosvg 混合方案:
两种预设模式:
# 光模块产业链全景图
python3 draw_chain_v2.py optical_module /tmp/out/optical.png
# EML 国产替代产业链
python3 draw_chain_v2.py eml_substitution /tmp/out/eml.png
核心 API:
# 设计系统(DS dict)— 修改一处全局生效
DS = {
'W': 1920, 'H': 1080, 'bg': '#FFFFFF',
'title_color': '#0B3A82', 'title_size': 44,
'blue': '#2F80ED', 'blue_dark': '#1E5BB8',
'cyan': '#00B8D9', 'green': '#22C55E', 'green_dark': '#16A34A',
...
}
# 主函数签名
def build_optical_module(out_path: str):
"""生成光模块产业链全景图:三栏 + 介绍框 + 总结 + 投资要点"""
def build_eml_substitution(out_path: str):
"""生成 EML 国产替代产业链图:衬底 → 芯片 → 模块(红色卡脖子高亮)"""
辅助函数:
font(size) # 中文字体对象
svg_to_pil(svg_str, size) # SVG → PIL Image
draw_gradient_header(d, x, y, w, h, c1, c2) # 水平渐变 header
draw_shadow_card(d, x, y, w, h, r=6) # 阴影卡片
draw_shadow_card_green(d, x, y, w, h, r=6) # 绿色阴影卡片
draw_shadow_card_red(d, x, y, w, h, r=6) # 红色卡脖子卡片
draw_icon_circle(im, d, x, y, size, name, c)# 圆形图标 + 立体光圈(径向渐变 + 白色实心)
card_template(im, d, x, y, w, h, icon, name, desc, stocks, color)
# 通用卡片(上游/下游)
draw_chain_v2.py 为 draw_<your_chain>.pybuild_<your_chain>(out_path) 函数,顺序调用辅助函数(icon, name, desc, stocks)python3 draw_<your_chain>.py <output.png>| 症状 | 原因 | 解法 |
|---|---|---|
| 中文显示 □□ | 字体路径错 | 确认 /home/ivanyinjc/.fonts/wqy-microhei.ttc 存在 |
ModuleNotFoundError: cairosvg | pip 装错 venv | 用 /home/ivanyinjc/.local/share/pipx/venvs/hermes-agent/bin/python |
AttributeError: NoneType.paste | 漏传 Image | draw_icon_circle(im, ...) 第一个参数不能是 None |
| SVG 解析报 not well-formed | 文本含 & | 调用前 re.sub(r'&(?!(amp;|lt;|gt;)', '&', text) |
| PNG < 100 KB | 中文 fallback | 检查字体加载是否成功 |