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SkillsMP ha recopilado 19 skills de Phoinikas03/VASP_Agent. Abre una skill para revisar su origen y sus detalles.
Mostrando 19 de 19 skills recopiladas.
Build or revise VASP INCAR files by composing a workflow base profile with optional INCAR modifier skills. Use when preparing INCAR for relax, static SCF, EOS, adsorption, phonon, NEB, AIMD, response, or GW/BSE workflows, especially when several physical…
Idioma del texto original: inglés
Apply VASP INCAR settings for DFT+U, exchange-correlation functional choices, vdW corrections, meta-GGA, and hybrid functional consistency. Use when a workflow needs LDAU tags, U values from literature, IVDW, METAGGA, LHFCALC/HSE, or needs to avoid…
Idioma del texto original: inglés
Apply VASP INCAR settings for collinear magnetism, initial MAGMOM choices, antiferromagnetic configurations, noncollinear magnetism, spin-orbit coupling, and magnetic anisotropy. Use when materials contain magnetic elements, the user requests spin/SOC, or a…
Idioma del texto original: inglés
为 VASP INCAR 做性能调优与并行参数设置。当用户提到性能优化、并行策略、KPAR、NCORE、NPAR、CPU/GPU 资源映射、单卡/多卡、工作站或节点硬件，并希望根据设备调整 INCAR 时触发。只修改性能相关 INCAR 项，真正运行仍交给 run-vasp。
Idioma del texto original: chino
Choose and validate VASP smearing, precision, and static/relax accuracy tags such as ISMEAR, SIGMA, EDIFF, PREC, LREAL, LASPH, ADDGRID, and related output precision settings. Use when preparing INCAR for metals, semiconductors, insulators, surfaces, DOS/band…
Idioma del texto original: inglés
Validate VASP inputs before running: check INCAR consistency, stage-to-stage comparability, KSPACING versus KPOINTS conflicts, POSCAR/POTCAR element order, and common tag mistakes. Use before run-vasp or when a workflow edits INCAR files.
Idioma del texto original: inglés
Apply the repository policy for VASP POTCAR selection and generation without storing copyrighted POTCAR data in git. Use when preparing VASP inputs, selecting recommended pseudopotential variants, checking element order, or ensuring POTCAR_dir and generated…
Idioma del texto original: inglés
为计算材料学任务结构化检索与整理文献：实验晶格常数、带隙、DFT/HSE/VASP 参数、DFT+U、EOS 方法等。在 workflow-relax、workflow-electronic-structure、workflow-eos-lattice-constant、workflow-convergence 等技能要求「先查文献」或本地 references 未覆盖时触发；统一使用本 skill 规定的检索顺序与 arXiv 查询规范，输出带引用的摘要并可写入用户指定的工作区 Markdown。
Idioma del texto original: chino
环境与硬件感知下编排 VASP：探针 mpirun/vasp_std/vasp_gpu、STRICT HARDWARE ALIGNMENT（GPU 与 CPU 共存 / Slurm 分叉）、GPU 映射（通常 1 rank↔1 GPU）、ITERATIVE 分批调用 vasp_runner、执行前向用户展示完整命令并取得同意。凡在本工作区使用 mpirun、vasp_std、vasp_gpu、Slurm/PBS 提交或 vasp_runner.py 时必须加载本 skill；若用户还要求按 CPU/GPU…
Idioma del texto original: chino
创建、编辑或改进 AI Skill 的 meta-agent。以下场景必须触发本 skill，不得自行处理： 1. 用户要求创建新 skill； 2. 用户要求打开网页编辑器查看或编辑某个 SKILL.md（唯一方式是运行 serve_skill.py，Agent 不得仅描述内容或让用户自行打开）； 3. 用户要求根据任务轨迹改进已有 skill（启动 diff_skill.py 进行逐条审阅）； 4. 用户提到"skill 编辑器"、"预览 skill"、"修改 SKILL.md" 等。
Idioma del texto original: chino
获取、构建、枚举和校验 VASP 初始结构。当用户需要从 Materials Project 下载 POSCAR、从材料名称/mp-id 获取结构、构建 slab/表面、生成气相分子、添加吸附物、枚举吸附位点/取向、构建 CO 在金属或氧化物表面的吸附结构、或为 workflow-relax、workflow-adsorption-energy、workflow-electronic-structure 等工作流准备 POSCAR 时触发。
Idioma del texto original: chino
执行晶体结构的线性扩胞（Supercell Generation）。当用户要求“扩大 POSCAR”、“构建超胞”或指定扩胞倍数（如 2x2x2）时触发。使用 pymatgen 进行处理，并在执行前向用户确认原子数变化。
Idioma del texto original: chino
在 VASP 计算失败、未收敛、长时间无新输出、GPU/MPI 异常或需要判断是否应先停止当前 run 再修改参数重跑时触发。读取 run-vasp 的 state 文件、OUTCAR、OSZICAR、主日志与 check_convergence 结果，给出结构化排障建议，并在用户确认后才允许调用 terminate.py。
Idioma del texto original: chino
执行 VASP 分子在表面吸附能计算的三步几何优化工作流：气相分子、洁净表面、吸附复合体系；由总能量按 E_ads=E(adsorbed)−E(molecule)−E(surface) 得到吸附能。当用户要求计算吸附能、吸附能差、CO（或其它分子）在金属/氧化物表面吸附、或搭建与 VaspAgent absorptionE 类 benchmark 一致的三段式算例时触发该技能。
Idioma del texto original: chino
兼容旧 bandgap 入口。该 skill 现已升级为更通用的 workflow-electronic-structure：统一处理静态 SCF、band structure、DOS、PBE/HSE 带隙等电子结构任务。若用户提到 bandgap，可按原来的 PBE→HSE 带隙流程执行，但主入口应优先理解为 workflow-electronic-structure。
Idioma del texto original: chino
对固定几何的单胞执行 VASP 静态单点能（NSW=0）下的截断能 ENCUT 与 INCAR 中 KSPACING 收敛测试，目标相邻步能量差 ≤1 meV/atom，输出 Convergence_Report.md 与推荐生产参数。适用于 EOS、带隙扫描、一般静态能量对比等任意需要先收敛 ENCUT/K 点的前置步骤。
Idioma del texto original: chino
执行 VASP 电子结构工作流：静态 SCF、带结构、DOS，以及高精度 HSE 带隙。它是在原 bandgap skill 基础上的升级版，统一收纳 PBE→HSE 带隙、band structure、DOS 等电子结构任务。真正运行前必须经过 run-vasp；涉及 GPU、KPAR、NCORE、NPAR 时必须先经过 incar-performance。
Idioma del texto original: chino
执行 VASP 平衡晶格常数计算和状态方程 (EOS) 拟合。EOS 前须征得用户同意后，再通过 workflow-convergence 做 ENCUT/KSPACING 收敛；否则采用用户指定或模板参数并注明。随后各向同性缩放、批量静态计算、初拟合 EOS，并按拟合质量、边界位置和局部网格间距决定是否在最小点附近二次加密采样，最终得到平衡晶格常数、体积和体模量。
Idioma del texto original: chino
执行 VASP 结构松弛计算的自动化工作流。当用户要求进行结构松弛、优化晶体结构、或为特定材料准备 VASP 输入文件时触发该技能。
Idioma del texto original: chino